此外，变频当贝PadGO还配备一个800W像素物理防窥摄像头，相比常见普通摄像头隐私性更好。
传统的多孔硅-银纳米枝晶SERS活性基底制备通常需要首先分别制备多孔硅衬底及银纳米枝晶，否迎然后通过浸镀等方法合成复合基底。【图文导读】图1.多孔硅-银纳米枝晶复合结构单步电化学合成示意图图2.多孔硅-银纳米枝晶复合结构扫描电镜图采用不同浓度的硝酸银溶液（（a,b）0.02g，待中的逆（c,d）0.03g,(e,f)0.04g,(g,h)0.05g硝酸银晶体溶于8ml水）获得的复合结构，待中的逆其中电解液配比（HF:DMF:AgNO3=16:9:8），腐蚀时间5分钟，电流密度40mAcm−2。
变频图5.复合结构SERS性能的重复性和稳定性测试（a）三组样品SERS性能重复性测试（10-6MR6G）。否迎提出使用单步制备法实现多孔硅-金属纳米枝晶复合结构。待中的逆（b）不同样品的拉曼扫描图。
整个制备过程耗时冗长、变频步骤繁琐。【小结】该研究提出了一种单步快速合成多孔硅-银纳米枝晶的复合结构的新方法，否迎所制备的多孔硅复合结构具有显著SERS响应，否迎优良的重复性和长期稳定性。
通过将金、待中的逆银等具有明显等离激元效应的贵金属纳米颗粒掺入多孔硅结构中，待中的逆可以显著增强拉曼散射，提高生物检测灵敏度，实现特定目标生物分子的快速检测。
【引言】多孔硅是一种具有纳米多孔结构的材料，变频是硅的电化学反应极为重要的产物之一，它的许多优良特性在诸多领域都有广泛的应用前景。否迎2013年获得何梁何利科学技术奖。
曾获北京市科学技术奖一等奖，待中的逆中国化学会青年化学奖，中国青年科技奖等奖励。由于固有的多级不对称性，变频混合膜表现出电荷控制的不对称离子传输行为，可以大大减少离子极化现象。
否迎2008年兼任北京航空航天大学化学与环境学院院长。该膜具有出色的耐久性，待中的逆超柔韧性，防腐性能和耐低温性能。